半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 須崎 泰正 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242572A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 表面からの位置決め精度を向上させるようにした半導体光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造工程において、所定の深さと幅の異常成長抑制のための溝6を形成した。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須崎 泰正. 半導体光素子の製造方法. JP1998242572A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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