光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 南部 芳弘; 富田 章久 |
| 发表日期 | 1999-04-30 |
| 专利号 | JP1999121870A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】キャリア注入効率に優れ、発行効率、高温変調特性、温度特性等に優れる、量子閉じこめ構造を有する光半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体量子箱を含む活性層を備えた光半導体装置において、活性層3、5に隣接して帯間間接遷移型半導体層4を設ける。帯間間接遷移型半導体層4の間接バンドギャップは、半導体量子箱1の基底準位帯間遷移エネルギーと略等しくする。 |
| 公开日期 | 1999-04-30 |
| 申请日期 | 1997-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89222]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南部 芳弘,富田 章久. 光半導体装置. JP1999121870A. 1999-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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