光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 清水 淳一 |
| 发表日期 | 1996-09-27 |
| 专利号 | JP1996250809A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】MOVPE選択成長法を用いて製造される半導体光素子において高電流注入時のリーク電流を低減し高光出力の素子の提供、及び吸収型光変調器の場合には電圧印加時のリーク電流を低減し低電圧で良好な消光特性が得られる素子の提供。 【構成】一導電型基板上に、基板と逆導電型の半導体層と同一導電型の半導体層を形成し、この上にMOVPE選択成長用のSiO2マスクを形成し、選択成長用マスクにてエッチングにより導電型基板にまで達する溝を形成し、その後MOVPE選択成長によって溝中に半導体レーザの活性層を形成すると同時にクラッド層、キャップ層を形成し、最後に電極等を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-09-27 |
| 申请日期 | 1995-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89239]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水 淳一. 光半導体素子及びその製造方法. JP1996250809A. 1996-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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