レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 久弥; 後藤 吉孝; 安部 克則; 渥美 欣也; 照井 武和; 松下 規由起 |
| 发表日期 | 1999-02-16 |
| 专利号 | JP1999046034A |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】楕円ビームの短径長さを短くして高密度なレーザ光を得ることができるレーザダイオードを提供する。 【解決手段】下面に合金層13が形成されたn-GaAs基板2の上に、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5と活性層6とp-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層8とp-GaAsコンタクト層9と絶縁膜10とが順に積層され、絶縁膜10にはストライプ幅が400μmの帯状の窓部11が形成され、当該窓部11に上部電極層12が配置されている。合金層13の下に、1mΩ以上の抵抗値を有するn-GaAs基板14が配置されている。n-GaAs基板14は合金層15にてブロック16上に接合されている。 |
| 公开日期 | 1999-02-16 |
| 申请日期 | 1997-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89255]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,後藤 吉孝,安部 克則,et al. レーザダイオード. JP1999046034A. 1999-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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