半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 古川 秀利 |
| 发表日期 | 2008-06-05 |
| 专利号 | JP2008130876A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ構造を改良し、半導体レーザにおいて高出力化と偏光比改善とを可能にする。 【解決手段】半導体レーザ100の光出射面に近い領域(図1(b)の左図)のリッジ部108の高さを、その他の領域(図1(b)の右図)のリッジ部108の高さより低くする。このように、光出射端近傍のリッジ部108の高さを低くすることにより、低導波損失を維持しつつ、リッジ部108に加わる応力の影響を小さくすることができ、高出力化と偏光比改善との両立が可能となる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-06-05 |
| 申请日期 | 2006-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,古川 秀利. 半導体レーザ. JP2008130876A. 2008-06-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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