半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山口 栄雄; 赤▲崎▼ 勇; 天野 浩 |
| 发表日期 | 1999-10-22 |
| 专利号 | JP2995187B1 |
| 著作权人 | 日本学術振興会 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 クラッド層の材料としてGaNを用いても格子歪みが極めて小さく、短波長から長波長にわたって良好な発光特性が得られる半導体発光素子を実現することにある。
【解決手段】 本発明による半導体発光素子は、絶縁性の単結晶基板(1)と、この基板(1)の上側に形成され、GaNから成る第1導電型の第1のクラッド層(3)と、この第1のクラッド層(3)の上側に形成した真性半導体材料の活性層(4)と、この活性層(4)の上側に形成され、GaNから成る第2導電型の第2のクラッド層(7)と、前記第1及び第2のクラッド層にそれぞれ電気的に結合された第1及び第2の電極(8,9)とを具え、前記活性層を、一般式Al1-x Inx N(01-x InxN(0 |
| 公开日期 | 1999-12-27 |
| 申请日期 | 1998-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本学術振興会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 栄雄,赤▲崎▼ 勇,天野 浩. 半導体発光素子. JP2995187B1. 1999-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。