低しきい値半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小林 隆二; 堀田 等 |
| 发表日期 | 1998-12-18 |
| 专利号 | JP1998335736A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 低しきい値半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい値電流でレーザ発振する埋め込みリッジ型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 第1導電型基板上に第1導電型クラッド層、活性層、リッジを有する第2導電型クラッド層、埋め込み層が順次形成されたリッジ埋め込み構造からなる半導体レーザにおいて、埋め込み層直下の第2導電型クラッド層の厚さが200nm以下であり、且つ前記埋め込み層がレーザ光に対して透明で且つ高抵抗または第1導電型であることを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1998-12-18 |
| 申请日期 | 1997-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89274]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 隆二,堀田 等. 低しきい値半導体レーザ. JP1998335736A. 1998-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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