半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム
文献类型：专利
| 作者 | 稲葉 雄一; 鬼頭 雅弘; 中山 久志 |
| 发表日期 | 2000-02-02 |
| 专利号 | JP2000036636A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置のスペクトル線幅を容易に狭小化できるようにする。 【解決手段】 メサ状ストライプ領域31は、基板側から順に、厚さが500nmのn型InGaAsPからなるn型光導波路層12と、注入されたキャリアのうち所定のエネルギーを持つ電子のみを選択的に通過させるキャリア選択層としての多層のヘテロ接合からなる超格子層13と、多重量子井戸層活性層14と、厚さが500nmのp型InGaAsPからなるp型光導波路層15と、p型InPからなるp型クラッド層16とにより構成されている。超格子層13は、厚さが6nmで組成波長λgが40μmのInGaAsPからなる井戸層13wと、厚さが6nmで組成波長λgが15μmのInGaAsPからなる障壁層13bとの対が積層された多重量子井戸層として構成されている。 |
| 公开日期 | 2000-02-02 |
| 申请日期 | 1998-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89285]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲葉 雄一,鬼頭 雅弘,中山 久志. 半導体レーザ装置、その製造方法及び光通信システム. JP2000036636A. 2000-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。