II-VI族化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉川 明彦; 小林 正和 |
| 发表日期 | 1999-08-31 |
| 专利号 | JP1999238914A |
| 著作权人 | YOSHIKAWA AKIHIKO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 長期にわたり安定した物性を示し、素子としての寿命が十分に長いII-VI族化合物半導体素子を提供すること。 【解決手段】 六方晶系II-VI族化合物半導体を含有する層を有し、かつ、ヘテロ接合とp-n接合の少なくとも一方を有することを特徴とする半導体素子。 |
| 公开日期 | 1999-08-31 |
| 申请日期 | 1998-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | YOSHIKAWA AKIHIKO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 明彦,小林 正和. II-VI族化合物半導体素子. JP1999238914A. 1999-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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