半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中島 徹人; 中村 幸治; 堀川 英明; 八重樫 浩樹 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129967A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 横モード制御領域では、光損失が高くなり、光伝搬路を実効的に狭くすることにより、リッジ幅を広くしても高出力動作時に安定した基本横モード発振を得ることができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板10と、この基板10の上側のn型AlGaAsクラッド層20と、このn型AlGaAsクラッド層20の上側の活性層30と、この活性層30の上側のp型AlGaAsクラッド層40aとを少なくとも具え、活性層30の上側のp型AlGaAsクラッド層40aにリッジ部70が形成されているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記p型AlGaAsクラッド層40aのリッジ部70の側面近傍において、このリッジ部70の両側の、前記p型AlGaAsクラッド層40bの厚みが薄くなっている横モード制御領域90を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-11-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89289]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中島 徹人,中村 幸治,堀川 英明,等. 半導体レーザ. JP1997129967A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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