半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 西塚 満; 太田 啓之 |
| 发表日期 | 1997-10-21 |
| 专利号 | JP1997275238A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系半導体レーザ素子に見られるような、絶縁体を励振基板に用いて形成される半導体レーザ素子において、歪みのないレーザ光を放射することのできる半導体レーザ素子を提供するものである。 【解決手段】 絶縁体基板上に積層された結晶層と、第1の電極と、結晶層及び第1の電極の層間に積層されて形成される少なくとも一つのヘテロ接合と、結晶層上に形成される第2の電極とを備え、第1の電極面にほぼ平行な方向に放射軸を有するレーザビームを放射する半導体レーザ素子であって、第2の電極は、放射軸を含み第1の電極面に垂直な平面に対しほぼ対称な位置に設けられた1対の電極で構成されることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1997-10-21 |
| 申请日期 | 1996-04-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89292]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西塚 満,太田 啓之. 半導体レーザ素子. JP1997275238A. 1997-10-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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