半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 岡井 誠; 大▲歳▼ 創 |
| 发表日期 | 1997-11-28 |
| 专利号 | JP1997307178A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は、半導体レーザ装置のしきい電流の上昇を最低限に押さえて、高次の横モード発生を防ぎ、結果として光出力-電流特性のキンクレベルを上げることにある。半導体レーザ装置において、発振時に基本横モードと高次の横モードが共存する場合、それらの干渉により光強度がメサストライプ内でうねる現象が見られる。光出力の増大に伴って光出力-電流特性にキンクが現われる。 【解決手段】 半導体レーザのクラッド層に対し、光強度がメサストライプの最も端に来る部分を含む一定の領域のメサストライプ幅を狭くする。 【効果】 半導体レーザ装置のしきい電流の上昇を最低限に押さえて、高次の横モード発生を防ぎ、結果として光出力-電流特性のキンクレベルを上げ得る。 |
| 公开日期 | 1997-11-28 |
| 申请日期 | 1996-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡井 誠,大▲歳▼ 創. 半導体レーザ装置. JP1997307178A. 1997-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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