Broadband semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | OOI, BOON-SIEW; DJIE, HERY SUSANTO |
| 发表日期 | 2008-12-18 |
| 专利号 | US20080310470A1 |
| 著作权人 | LEHIGH UNIVERSITY |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Broadband semiconductor laser |
| 英文摘要 | A broadband laser having a first cladding layer, a second cladding layer. A semiconductor structure between the first and second cladding layers has a layer of inhomogeneous quantum nano heterostructures. The inhomogeneous quantum nano heterostructures are engineered to lase at a ground state and at an excited state. |
| 公开日期 | 2008-12-18 |
| 申请日期 | 2007-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89304]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LEHIGH UNIVERSITY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OOI, BOON-SIEW,DJIE, HERY SUSANTO. Broadband semiconductor laser. US20080310470A1. 2008-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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