自励発振型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 三宅 輝明; 茨木 晃; 林 伸彦; 田尻 敦志; 古沢 浩太郎; 松本 光晴; 松川 健一; 後藤 壮謙; 井手 大輔 |
| 发表日期 | 1995-01-24 |
| 专利号 | JP1995022695A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 動作電流及び垂直方向のビーム広がり角の特性が良好な自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1と、この基板1上に設けたn型第1クラッド層6と、この第1クラッド層6上に設けた活性層8と、この活性層8上に設けたp型第2クラッド層13とを備え、第1、第2クラッド層6、13の層中にそれぞれ発振波長エネルギーに略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層4、11を有し、且つ前記第1、第2クラッド層6、13は活性層8より小さい屈折率及び大きいバンドギャップを有し、且つ第1クラッド層6と活性層8の間及び活性層8と第2クラッド層13の間にそれぞれ第1クラッド層6及び第2クラッド層13より小さい屈折率及び大きなバンドギャップを有する障壁層7、9を設けた。 |
| 公开日期 | 1995-01-24 |
| 申请日期 | 1993-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三宅 輝明,茨木 晃,林 伸彦,等. 自励発振型半導体レーザ素子. JP1995022695A. 1995-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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