半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 河野 敏弘; 魚見 和久; 山下 茂雄; 岡 聡彦; 菊池 悟 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP3034688B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は半導体レ-ザに関し、リ-ク電流を低減した低閾値埋込ヘテロレ-ザを提供することにある。 【構成】 変曲点の無い滑らかな側面形状を持つメサストライプをp-n接合により埋込み、気相成長法特有の成長ハビットを利用してp-InP埋込層5の膜厚をメサ近傍で(133)面がでるよう制御する。更にn-InP埋込層6を連続して成長し、且つその周囲をp-InP層で囲うよう成長した埋込ヘテロレ-ザ。 【効果】 n-n接続の無い電流ブロック構造が実現できるため、無効電流を低減でき低閾値化が図れる。 |
| 公开日期 | 2000-04-17 |
| 申请日期 | 1992-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89312]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河野 敏弘,魚見 和久,山下 茂雄,等. 半導体装置. JP3034688B2. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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