半導体構造体及び半導体結晶成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 五明 明子 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087688A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体構造体及び半導体結晶成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 エピタキシャル層の面内でバンドギャップの分布をもたせ、デバイス作製上の自由度を拡張可能な半導体構造体を提供する。 【解決手段】 (001)面上の III-V族混晶のエピタキシャル層3中に秩序層形成領域4と無秩序領域5とを2ミクロン間隔前後程度で交互に配列させるような半導体構造体の成長を行う。成長表面にステップバンチング及び不純物濃度に成長面内の分布を設け、成長表面の再配列構造を制御することによって、秩序層形成領域4と無秩序領域5とを制御する。これによって、これら両者の領域の夫々のバンドギャップエネルギが異なる。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89332]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 五明 明子. 半導体構造体及び半導体結晶成長方法. JP1999087688A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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