半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068585A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 多重量子井戸構造(MQN)の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n-InP基板1上に、n-InGaAsP SCH層2、引っ張り歪InGaAsP SCH層3、歪MQW層4、引っ張り歪InGaAsP SCH層7、InGaAsP SCH層8の積層からなるSCH-歪MQW層構成を有する半導体レーザであって、SCH-歪MQWの層構成と、最上層となるp-InPクラッド層10との間に、p-InGaPスペーサ層9が挿入されている。挿入されたp-InGaPスペーサ層9は、n-InP基板1側から、SCH-歪MQWに注入されてくる電子キャリアが、p-InPクラッド層10にオーバフローするのを防止する。その結果、良好な高温特性、高出力特性が得られる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89341]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 半導体レーザ. JP2000068585A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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