半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加守田 裕樹 |
| 发表日期 | 1993-04-16 |
| 专利号 | JP1993095135A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ウィンドウ部を開口されたキャップ層を基準としてp-Zn電流通路領域(拡散領域)をセルフアライメントにより形成し、ウィンドウ部と電流通路領域とを正確かつ容易に位置合わせする。 【構成】 上部クラッド層6の上に電流ブロック層7を形成してpn接合電流阻止層を形成し、電流ブロック層7の上に形成されたキャップ層8にウィンドウ部11を開口し、キャップ層8及びウィンドウ部11内の全面に拡散源12を塗布し、Znを全面拡散する。ウィンドウ部11の内部ではZnは直接電流ブロック層7内を拡散し、ウィンドウ部11とセルフアライメントに電流通路領域13を形成する。同時に、キャップ層8を拡散したZnは電流ブロック層7の上部に達して電流通路層14を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-04-16 |
| 申请日期 | 1991-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89342]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加守田 裕樹. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993095135A. 1993-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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