半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤原 正敏 |
| 发表日期 | 1999-01-06 |
| 专利号 | JP1999004041A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 容易に形成することができる、電流を狭搾可能なリッジを備えた半導体レーザの製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 CH4 とH2 とを用いたドライエッチングによりリッジ10を形成し、その後、上クラッド層3及びコンタクト層4上に電極金属7を形成するようにした。 |
| 公开日期 | 1999-01-06 |
| 申请日期 | 1997-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤原 正敏. 半導体レーザの製造方法. JP1999004041A. 1999-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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