半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志 |
| 发表日期 | 2000-10-24 |
| 专利号 | JP2000299531A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置に関し、極めて簡単な手段で段差基板上のGaInP層にGaAs層を積層しても厚さ分布が発生しないようする。 【解決手段】 斜面をもつ段差基板上にS-MQW活性層43、S-MQW活性層43に接して積層されて斜面に沿う領域で高いキャリヤ濃度をもち且つS-MQW活性層43の主表面に沿う領域で低いキャリヤ濃度をもつp-GaInPクラッド層44、p-GaInPクラッド層44に接して積層されて斜面に沿う領域でp型であるp側第二クラッド層及び主表面に沿う領域でn型である電流ブロック層を成している電流ブロック兼クラッド層45を備える半導体レーザ装置に於いて、クラッド層を構成する五族元素がPであり、S-MQW活性層43を構成する主成分がAsであり、段差基板の主表面が(100)面から(111)A方向に約8度傾斜した面方位であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-10-24 |
| 申请日期 | 1999-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89344]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志. 半導体レーザ装置. JP2000299531A. 2000-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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