半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗; 勝山 造; 橋本 順一 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204613A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 温度特性が良好で、しかも高出力の0.98μm帯の半導体レーザを提供すること。 【構成】 この半導体レーザは、GaAs基板1上に形成される半導体レーザであって、クラッド層3,11,13の材料がAlGaInPであり、活性層7の材料がGaInAsである。 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1992-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89345]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗,勝山 造,橋本 順一. 半導体レーザ. JP1994204613A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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