半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 安藤 精後; 小林 直樹; 安藤 弘明 |
| 发表日期 | 1998-07-24 |
| 专利号 | JP2806409B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 キャリアの損失が低く、発振閾値が低い半導体レーザを実現する。 【構成】 半導体レーザは、半導体基板1の(111)B面上に、この基板と平行に積層された第1のクラッド層2、活性層3および第2のクラッド層を有する。この活性層3は共振器の寸法を有し、また、この活性層の共振器端面は第2のクラッド層4により覆われ基板に垂直方向に形成された正6角形状のダブルヘテロ構造を有する。 |
| 公开日期 | 1998-09-30 |
| 申请日期 | 1992-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89346]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安藤 精後,小林 直樹,安藤 弘明. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2806409B2. 1998-07-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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