半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 弘之; 門脇 朋子 |
| 发表日期 | 1995-05-02 |
| 专利号 | JP1995115242A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 広く、かつ、浅いメサ構造であっても低容量化を実現した半導体レーザ素子およびその製造方法を得ることを目的とする。 【構成】 従来のメサ型半導体レーザ素子に比べてメサ幅は約8μmであり、メサ高さは約3μmの広く浅いメサとなっている。また、メサの側面の表面から約3μmに渡ってプロトン注入による絶縁領域7が設けられている。 【効果】 逆バイアス層によって形成された電流狭窄部を有するメサの側面に絶縁領域を設けることにより、メサ幅の拡幅に伴う寄生容量の増加を抑制することができるので、メサ幅が広く、メサの頂上部における電極の形成が容易な半導体レーザ素子を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-05-02 |
| 申请日期 | 1993-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89350]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 弘之,門脇 朋子. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1995115242A. 1995-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。