窒化ガリウム系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340573A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子は、基板上に、窒化物半導体からなる少なくともクラッド層及び/またはガイド層に挟まれた窒化物半導体よりなる活性層を備えた窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記活性層に電流を供給するオーミック電極のレーザ共振器方向の長さが、レーザ共振器の長さよりも短いことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-05-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89351]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之. 窒化ガリウム系半導体レーザ素子. JP1999340573A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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