半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 信夫; 遠山 政樹 |
| 发表日期 | 2002-04-05 |
| 专利号 | JP3293968B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】発振波長を高速、且つ大きく変化させることができ、光FDM向けのコヒーレント光源として使用可能な半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】n型InP基板1上に設けられ、n型InP基板1よりも熱伝導率が小さく、凸形状のn型InGaAsPクラッド層2と、n型InGaAsPクラッド層2の凸部上に設けられ、発光層および光導波層として働く歪み量子井戸活性/光導波層4と、歪み量子井戸活性/光導波層4上に設けられ、n型InGaAsPクラッド層2とともに歪み量子井戸活性/光導波層4を挾持し、n型InP基板1よりも幅の狭いp型InPクラッド層5と、歪み量子井戸活性/光導波層4で発生したレーザ光の導波路に設けられ、分布帰還共振器として働く回折格子13とを備えている。 |
| 公开日期 | 2002-06-17 |
| 申请日期 | 1993-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89352]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 信夫,遠山 政樹. 半導体レーザ装置. JP3293968B2. 2002-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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