分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 聰; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 工藤 裕章 |
| 发表日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP1993048205A |
| 著作权人 | シヤープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄機構となるストライプ溝の底部に位置する光ガイド層を,ストライプ溝の側壁近傍より幅方向の中央部の方が厚くなるように形成することにより,導波路損失が低減した効率の良い屈折率導波構造を有し,安定した基本横モードで発振する分布帰還型半導体レーザ素子を得る。 【構成】 第1の結晶成長工程により,半導体基板100上に,第1クラッド層102,活性層103,キャリアバリア層104,電流阻止層105などを順次形成する。キャリアバリア層104および電流阻止層105の表面上に回折格子106を印刻する。第2の結晶成長工程により,回折格子106の印刻されたキャリアバリア層104および電流阻止層105上に,第2クラッド層108およびコンタクト層109を順次形成する。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シヤープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 聰,瀧口 治久,猪口 和彦,等. 分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1993048205A. 1993-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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