半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉江 睦之; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 2009-08-14 |
| 专利号 | JP4357022B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流密度が低く、発光効率が高くかつ信頼性の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に低温バッファ層2、n-GaN層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、n-MQW発光層6、p-ブロック層7、p-光ガイド層8およびp-光クラッド層9が順に積層されている。リッジ部のp-光クラッド層9においては、表面から一定深さまでが除去され、ストライプ状凹部が形成されている。このストライプ状凹部を除くp-光クラッド層9上に電流狭窄層10が形成され、p-光クラッド層9のストライプ状凹部上および電流狭窄層10上にp-コンタクト層11が形成されている。 |
| 公开日期 | 2009-11-04 |
| 申请日期 | 1999-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89354]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉江 睦之,林 伸彦. 半導体発光素子の製造方法. JP4357022B2. 2009-08-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。