半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 東 敏生 |
| 发表日期 | 2001-01-12 |
| 专利号 | JP2001007440A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 比較的容易に、ビームサイズ変換部によるレーザビームの吸収を抑制することができる。 【解決手段】 導電型の半導体基板の表面上に、化合物半導体材料からなる量子井戸層とバリア層とが交互に積層された活性層を形成する。その活性層のうち、半導体基板の表面内の第1の領域上の部分は、その厚さがほぼ一定であり、第1の領域に隣接する第2の領域上の部分は、第1の領域との境界から遠ざかるに従って徐々に薄くなる。活性層の上に、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体材料からなるクラッド層を形成する。活性層の第1の領域上の部分において構成原子の混合を生じさせることなく、活性層の前記第2の領域上の部分において構成原子の混合を生じさせる。 |
| 公开日期 | 2001-01-12 |
| 申请日期 | 1999-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89367]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2001007440A. 2001-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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