半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 米田 幸司; 井上 泰明 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005974A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流阻止層の内部側で貫通し、端面近傍で貫通しないストライプ溝をもつ半導体レーザ素子において、小さい非点隔差特性をもつと共に高信頼性を達成することを目的とする。 【構成】 基板1上に形成される電流阻止層2にその内部側で貫通し、端面近傍で貫通しないストライプ溝7を形成し、更に端面近傍領域全域に端面溝8、8を形成し、この電流阻止層2及びストライプ溝7上にp型クラッド層3を形成した構成にする。このクラッド層3上には、活性層4、n型クラッド層5、キャップ層6がこの順に形成されている。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米田 幸司,井上 泰明. 半導体レーザ素子. JP1994005974A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。