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半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者米田 幸司; 井上 泰明
发表日期1994-01-14
专利号JP1994005974A
著作权人三洋電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子
英文摘要【目的】 電流阻止層の内部側で貫通し、端面近傍で貫通しないストライプ溝をもつ半導体レーザ素子において、小さい非点隔差特性をもつと共に高信頼性を達成することを目的とする。 【構成】 基板1上に形成される電流阻止層2にその内部側で貫通し、端面近傍で貫通しないストライプ溝7を形成し、更に端面近傍領域全域に端面溝8、8を形成し、この電流阻止層2及びストライプ溝7上にp型クラッド層3を形成した構成にする。このクラッド層3上には、活性層4、n型クラッド層5、キャップ層6がこの順に形成されている。
公开日期1994-01-14
申请日期1992-06-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89372]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
米田 幸司,井上 泰明. 半導体レーザ素子. JP1994005974A. 1994-01-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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