半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP2917975B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 閾値が低く、高速で、発光スペクトル幅が狭く、効率の高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 量子細線または量子箱、及び量子井戸を活性層に設け、量子細線または量子箱を電流注入により励起するとともに、量子井戸を電流注入により発光させ、この光で量子細線または量子箱の高次の準位にキャリアを光励起し、量子細線または量子箱の第1準位間での再結合光をレーザ光として利用する構成にする。 |
| 公开日期 | 1999-07-12 |
| 申请日期 | 1997-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89374]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 半導体レーザ. JP2917975B2. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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