半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 西村 三千代 |
| 发表日期 | 1995-04-21 |
| 专利号 | JP1995106712A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】障壁層に歪を与える構成で且つ組成及び井戸幅の少なくとも一方が異なる複数の井戸層を備えた、良好な性能の偏光無依存な半導体光素子である。 【構成】量子井戸構造を活性層4とした半導体レーザ構造を備える半導体光素子である。量子井戸構造が異なる量子準位を有する複数の井戸層と面内応力を受けた複数の障壁層からなる。 |
| 公开日期 | 1995-04-21 |
| 申请日期 | 1993-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 三千代. 半導体光素子. JP1995106712A. 1995-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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