半導体レーザ
文献类型:专利
作者 | 古谷 章; 穴山 親志; 近藤 真人; 菅野 真実 |
发表日期 | 1994-09-30 |
专利号 | JP1994275904A |
著作权人 | FUJITSU LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ |
英文摘要 | 【目的】 半導体レーザに関し、半導体レーザの構造に簡単な改変を加えることで、レーザ·ビームの非点収差が小さいにも拘わらず、戻り光ノイズに対する耐性が高い多モード発振を可能とし、低雑音化に寄与しようとする。 【構成】 ストライプのエッジに順緩斜面をもち且つ狭幅部分と拡幅部分とからなる溝12が形成されたn-GaAs基板11と、基板11上に溝2の形状が転写された屈曲形状をもって形成された少なくともn-AlGaInPクラッド層13、InGaP活性層14、p-AlGaInPクラッド層15層を含むDH構造と、DH構造のうちクラッド層15の一部は底辺が溝12内に対向するリッジをなし且つ狭幅部分上ではDH構造の屈曲で画定されるストライプ幅がリッジに於ける底辺の幅以下であると共に拡幅部分上ではDH構造の屈曲で画定されるストライプ幅がリッジに於ける底辺の幅を越えたものになっている。 |
公开日期 | 1994-09-30 |
申请日期 | 1993-03-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89389] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,穴山 親志,近藤 真人,等. 半導体レーザ. JP1994275904A. 1994-09-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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