半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 正彦; 魚見 和久; 中村 均 |
| 发表日期 | 2003-05-02 |
| 专利号 | JP3425185B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明の目的は、Si基板上にIII-V族混晶半導体をエピタキシャル成長させてSi電子素子とモノリシックに集積しうる光半導体素子を提供する事である。 【構成】 Si基板結晶の上に、クラッド層が格子整合するGaNP、活性層がGaNP/GaNAs応力補償型超格子よりなるレーザダイオードとSi-MOS-FETが集積されている。また、同基板結晶上には、GaNP/GaNAs応力補償型超格子光吸収層を有するpinフォトダイオードとSi-MOS-FETも集積されている。これらの光半導体素子はSi基板結晶中に設けられた光導波路により結合されている。 【効果】 本発明によれば、Si基板上にIII-V族混晶半導体をミスフィット転位を発生させる事なくエピタキシャル成長させる事が可能となり、Si電子素子とモノリシックに集積しうる半導体素子を提供する事ができ、OEICへ応用できる。 |
| 公开日期 | 2003-07-07 |
| 申请日期 | 1993-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89410]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 正彦,魚見 和久,中村 均. 半導体素子. JP3425185B2. 2003-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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