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半導体光素子

文献类型:专利

作者橋本 順一
发表日期2006-09-14
专利号JP2006245137A
著作权人住友電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光素子
英文摘要【課題】 偏波依存性を低減可能な半導体光素子を提供する。 【解決手段】 本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第1導電型の下部クラッド層と、第2導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。下部クラッド層は、活性層における光の導波方向に延びる第1の領域と、該第1の領域の両側に設けられた第2の領域とを有している。活性層は、第1の領域に支持されている。TEモードの利得とTMモードの利得とが実質的に等しくなるように、活性層の層厚が、導波方向において変化している。 【選択図】 図1
公开日期2006-09-14
申请日期2005-03-01
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89411]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位住友電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
橋本 順一. 半導体光素子. JP2006245137A. 2006-09-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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