Semiconductor light emitting element
文献类型：专利
| 作者 | OTA HIROYUKI; WATANABE ATSUSHI |
| 发表日期 | 1992-08-25 |
| 专利号 | JP1992236478A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting element |
| 英文摘要 | PURPOSE:To provide a semiconductor light emitting element having a high light emitting efficiency by forming an excellent epitaxial layer lattice-matched to a substrate crystal. CONSTITUTION:In a semiconductor light emitting element formed with a plurality of III-V compound semiconductor mixed crystals as an epitaxial layer 5 on a substrate crystal 1, a composition of the layer 5 is so formed with AlxGa1-x-yInyN (0<=x<1, 0 |
| 公开日期 | 1992-08-25 |
| 申请日期 | 1991-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89415]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OTA HIROYUKI,WATANABE ATSUSHI. Semiconductor light emitting element. JP1992236478A. 1992-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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