回折格子の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 西村 隆司; 谷上 依子 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204601A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 回折格子の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 回折格子を有する半導体レーザの製造における回折格子の形成において、写真製版の工程の安定化を図る。 【構成】 半絶縁性基板6上に第1導電型のクラッド層5、活性層4、バリア層3、及び光ガイド層2を600℃〜700℃の温度でエピタキシャル成長する際、回折格子となる上記光ガイド層2上に、さらに光ガイド層保護層となるInP層1を上記エピタキシャル成長により同時に形成し、光ガイド層2と該InP層1とを同時にパターニングし、ホトレジスト7を除去した後、該両層2,1上に第2導電型クラッド層9を形成して上記InP層1を該層9と一体化する。 【効果】 回折格子形成時のレジストの密着性が向上し、レジスト剥がれがなくなる。 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1992-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89421]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 隆司,谷上 依子. 回折格子の形成方法. JP1994204601A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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