半導体素子および製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤原 正敏 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000151021A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 水平方向のドライエッチング耐性を考慮したパターン形態で第3の絶縁膜を形成し、高速応答が可能なリッジ型半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に活性層、クラッド層、電流ブロック層およびコンタクト層を含むリッジをストライプパターン形態で形成し、リッジのストライプパターン間に有機誘電体層を形成した後、リッジに沿って生じるオーバーエッチングを回避するように、基本パターン(a)およびリッジに沿って突出したエッチング保護部位(b)から構成される形態で絶縁膜を形成し、これをマスクとして、有機誘電体層を酸素エッチングした後、絶縁膜を除去し、リッジおよび有機誘電体層上に表面電極および半導体基板のリッジを形成していない面に裏面電極をそれぞれ形成した後、リッジおよび表面電極を含む部分を、素子境界線で分離する。素子境界線が半導体基板のへき開面に相当する。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1999-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89425]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤原 正敏. 半導体素子および製造方法. JP2000151021A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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