双安定半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 植之原 裕行; 高橋 亮; 河村 裕一; 岩村 英俊 |
| 发表日期 | 1995-02-07 |
| 专利号 | JP1995038195A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双安定半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層として多重量子井戸構造を有する双安定半導体レーザにおいて、吸収飽和の回復時間を10ピコ秒より短くすることにより、数10ギガヘルツの繰り返し動作を実現する。 【構成】 可飽和吸収領域を通常行われている結晶成長温度よりも低温(150℃〜400℃)で成長することにより形成し、また可飽和吸収領域の成長後に通常の成長温度程度でアニールするか、あるいは可飽和吸収領域の成長中にp型元素またはBeを導入する。 |
| 公开日期 | 1995-02-07 |
| 申请日期 | 1993-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89426]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植之原 裕行,高橋 亮,河村 裕一,等. 双安定半導体レーザおよびその製造方法. JP1995038195A. 1995-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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