Current isolation in photonic devices
文献类型：专利
| 作者 | YUEN, CHUEN, CHAN; YEE, LOY, LAM; PEH, WEI, TAN; TEIK, KOOI, ONG |
| 发表日期 | 2005-02-23 |
| 专利号 | GB2405259A |
| 著作权人 | DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD |
| 国家 | 英国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Current isolation in photonic devices |
| 英文摘要 | A ridge 29 of high band gap undoped InP is used a current isolation structure. The structure may be used to provide current isolation between sections of a multi-section laser or between individual devices such as lasers, modulators, detectors waveguides etc in a photonic integrated circuit. |
| 公开日期 | 2005-02-23 |
| 申请日期 | 2003-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89430]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YUEN, CHUEN, CHAN,YEE, LOY, LAM,PEH, WEI, TAN,et al. Current isolation in photonic devices. GB2405259A. 2005-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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