半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 嶋田 純一; 田中 秀尚; 片桐 祥雅; 鈴木 与志雄 |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218592A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、同一の端面から出射するレーザ光の偏光をTEモードとTMモードで選択できる半導体レーザに関するものであり、活性層に引っ張り歪をもつ量子井戸構造を用いてTMモードの利得を増加させるとともに、共振器鏡対間の電流注入領域を分割することにより、TEモードとTMモードの損失の差と利得の差の大小関係を切り替えて、偏光をTEモードとTMモードで選択できる半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の主要な構成は、半導体基板(1)と、半導体基板(1)上に形成された活性層(2)と、活性層(2)を挟むクラッド層(3,4)と、半導体基板(1)と活性層(2)とクラッド層対(3,4)を挟む電極対(7,61,62)と、半導体基板(1)に垂直に形成された共振器鏡対(8,9)とからなる半導体レーザ(図1)において、活性層(2)に引っ張り歪をもつ量子井戸層を用い、かつ電流注入領域を2つ以上に分離した構造(61,62)を有することを特徴とする半導体レーザ(図1)としての構成を有するものである。 |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89442]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 嶋田 純一,田中 秀尚,片桐 祥雅,等. 半導体レーザ. JP1993218592A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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