p型化合物半導体の低抵抗化方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤田 恭久 |
| 发表日期 | 1997-10-07 |
| 专利号 | JP1997266218A |
| 著作权人 | NIPPON STEEL CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | p型化合物半導体の低抵抗化方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶成長後アニーリングを行なうことなく低抵抗なp型II-VI族化合物半導体または窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗化する方法を提供する。 【解決手段】 MOCVD法によりエピタキシャル成長させたp型II-VI族化合物半導体または窒化ガリウム系化合物半導体に、それらp型化合物半導体の禁制帯幅のエネルギー以上のエネルギーをもつパルスレーザを照射して、このパルスレーザによって生成した電子-正孔対から生成したキャリアの電気的効果によりp型不純物と水素との結合を切り、p型化合物半導体内から水素を除去する低抵抗化方法。 |
| 公开日期 | 1997-10-07 |
| 申请日期 | 1996-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89448]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON STEEL CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤田 恭久. p型化合物半導体の低抵抗化方法. JP1997266218A. 1997-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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