半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 重田 淳二; 五島 滋雄; 紀川 健 |
| 发表日期 | 1999-11-05 |
| 专利号 | JP1999307865A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザの高出力化にともない誘電体からなる従来の端面反射間膜では光出力による発熱を充分逃すことができず、出力飽和,信頼性の低下等の問題があった。 【解決手段】半導体レーザ端面の、光射出部をのぞいて金属膜で被覆することにより、端面で発生した熱は熱伝導のよい金属膜ですみやかに除去され、光射出部には開口を設けるので反射率等の光学的特性は従来と同等である。 |
| 公开日期 | 1999-11-05 |
| 申请日期 | 1998-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89454]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 重田 淳二,五島 滋雄,紀川 健. 半導体レーザ. JP1999307865A. 1999-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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