半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治; 田中 俊明; 渡辺 明禎; 皆川 重量 |
| 发表日期 | 1996-10-18 |
| 专利号 | JP1996274411A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明の目的は、容易に電流狭窄および導波路構造を作り付けることができる量産性に優れた窒化物系化合物半導体レーザ素子を提供することにある。 【構成】 AlNバッファ層3もしくはGaNバッファ層を成長した領域と成長していない領域をサファイア基板上1に形成後、窒化物系化合物半導体層4〜8から構成されるレーザ構造を結晶成長する。 【効果】 本発明によれば、光軸方向のみにバッファ層を形成したサファイア基板上に窒化物系化合物半導体層から構成されるレーザ構造を結晶成長することによって、自己導波路構造の形成による光の閉じ込めとキャリアの閉じ込めを行うことができる。この結果、低注入キャリア密度によって横モードが制御されたレーザ光を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1996-10-18 |
| 申请日期 | 1995-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,田中 俊明,渡辺 明禎,等. 半導体レーザ素子. JP1996274411A. 1996-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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