半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 由美; 大久保 敦; 藤本 毅 |
| 发表日期 | 2008-10-10 |
| 专利号 | JP4198209B2 |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaInP系可視光半導体レーザの高出力化、高効率化を図ることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 活性層14の両側に光導波層12、16を設け、該光導波層12、16の両外側に光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するクラッド層11、17を設け、活性層14に近接して、活性層、光導波層およびクラッド層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロック層13、15を設けた半導体レーザにおいて、活性層14が(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1Pで形成され、キャリアブロック層13、15が(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2Pで形成され、組成比x1、y1、x2、y2に関して、x1 |
| 公开日期 | 2008-12-17 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89464]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 由美,大久保 敦,藤本 毅. 半導体レーザ素子. JP4198209B2. 2008-10-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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