化合物半導体のエピタキシャル成長装置
文献类型：专利
| 作者 | 塚本 弘範; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1995-07-04 |
| 专利号 | JP1995169690A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体のエピタキシャル成長装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 特性に影響を及ぼすような組成変動を回避できる化合物半導体のエピタキシャル成長装置を提供する。 【構成】 分子線エピタキシー法による複数元素で構成した化合物半導体エピタキシャル成長装置において、 そのエピタキシャル成長するための分子線セルC(C1 〜C7 )のうち、目的とする化合物半導体の相互の組成が他に比して強く特性に影響する元素の分子線セルを隣合って配置する。 |
| 公开日期 | 1995-07-04 |
| 申请日期 | 1993-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89471]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塚本 弘範,石橋 晃. 化合物半導体のエピタキシャル成長装置. JP1995169690A. 1995-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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