半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 上村 信行; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 原 義博; 木戸口 勲; 粂 雅博; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321942A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒素を含有するIII -V族化合物を用いた半導体発光素子において、発光特性を向上し動作電圧を低減できるようにする。 【解決手段】 面方位が(0001)のサファイアよりなる基板11上には、上部に段差部を有するn型GaN層13が形成されている。n型GaN層13の上における段差部の上段側には、アンドープGaNよりなる第1のガイド層15と、活性層16bを含む多重量子井戸層16と、アンドープGaNよりなる第2のガイド層17と、p型不純物であるMgが活性層16b側の領域へ拡散することを抑制する拡散抑制層18と、p型Al0.1Ga0.9Nよりなるp型クラッド層19と、p型GaNよりなるp型コンタクト層20と、Niよりなる第1の金属膜22a及び該第1の金属膜22aの上にAuよりなる第2の金属膜22bが積層されてなる陽電極22とが順次形成されている。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89481]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 信行,長谷川 義晃,石橋 明彦,等. 半導体発光素子. JP1998321942A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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