半導体レーザおよびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 田辺 哲弘; 中原 健 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183456A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Al、In、Pを少なくとも含む化合物半導体からなる電流狭窄層を用いながら、電流狭窄層の電流通路を形成するためエッチングされた部分の半導体層の表面を清浄にし、その上に成長する上部第2クラッド層の結晶性を良好にして、発光特性の優れた半導体レーザおよびその製法を提供する。 【解決手段】 n形GaAs基板1上に、n形の下部クラッド層2と、活性層3と、p形の上部第1クラッド層4と、n形電流狭窄層5と、p形の上部第2クラッド層7とが積層されている。そして、電流狭窄層5が少なくともIn、AlおよびPを含む化合物半導体からなると共に、電流狭窄層5上にAs雰囲気下で電流狭窄層5を選択的にサーマルエッチングすることができる、Asを含む蒸発防止層6が設けられている。そして、その蒸発防止層6をマスクとして電流狭窄層5がサーマルエッチングされて、ストライプ溝15が形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田辺 哲弘,中原 健. 半導体レーザおよびその製法. JP2000183456A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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