リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 後藤 修; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036475A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 予め平坦な表面を形成できるようにマスク対を配置して、そのマスク対を用いてMOVPE法を用いた選択成長を行うことにより、簡便にリッジを形成可能なリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 選択成長法を用いたリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法において、n-InP基板11上の成長領域に狭い幅のマスク対C,Cを配置する工程と、前記マスク対C,Cをマスクとして、活性層12、p-InPクラッド層13、p-InGaAsコンタクト層14を順次結晶成長させ、上面が平坦なリッジを形成する工程と、全面にSiO2 絶縁膜15を形成し、前記リッジ上面のみに窓16を形成する工程と、全面にp型電極17を形成する工程とを施す。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,後藤 修,堀川 英明. リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法. JP1997036475A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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