半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 治夫; 中田 直太郎; 虫上 雅人 |
| 发表日期 | 1995-09-12 |
| 专利号 | JP1995240563A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低真空下での酸化によるAlGaAs層の表面劣化を防ぐとともに、素子の製造時間の短縮を図る。 【構成】 GaAsの基板10上にAl0.6 Ga0.4 Asの下部クラッド層21を形成し、この層の上にGaAs層30等の層を順次形成する。その後、GaAs層30が10Å〜100Åの膜厚に残るようにサーマルクリーニングを行う。 |
| 公开日期 | 1995-09-12 |
| 申请日期 | 1985-10-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89487]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 治夫,中田 直太郎,虫上 雅人. 半導体レーザの製造方法. JP1995240563A. 1995-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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