半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 温; 太田 啓之 |
| 发表日期 | 1995-10-03 |
| 专利号 | JP1995254754A |
| 著作权人 | パイオニア株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 ZnSe,ZnSSe系結晶を、結晶欠陥の発生を抑制した高結晶品質で、GaAs基板上に形成した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【構成】 GaAs基板1上に、III-V族バッファ層2を堆積し、III-V族バッファ層上に、II族元素有機金属化合物ガス及びVI族元素水素化合物若しくは有機化合物ガスを導入してII-VI族バッファ層を堆積し、II-VI族バッファ層担持基板を形成する工程と、基板をMBEまたはCBE装置の成長室内に移送配置し、基板を真空中において加熱するか、或いは、基板のII-VI族バッファ層上に、II族元素有機金属化合物ガス若しくはII族元素の蒸発粒子またはVI族元素水素化合物若しくは有機化合物ガス若しくはVI族元素の蒸発粒子を導入して、基板を加熱するかして、II-VI族バッファ層上の酸化層を除去する工程と、MBEまたはCBE装置の成長室内において、II-VI族バッファ層上に少なくとも1つのII-VI族系材料の積層構造からなる。 |
| 公开日期 | 1995-10-03 |
| 申请日期 | 1994-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89502]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パイオニア株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 温,太田 啓之. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1995254754A. 1995-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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